富士電機株式會社，富士電機（中國）有限公司自8月起開始出貨功率半導體的新產品--第7代“X系列”IGBT※1模塊的樣品，特發通知。 ※1：Insulated Gate Bipolar Transistor（絕緣柵雙極型晶體管） 1．背景 IGBT模塊是一種能實現節能和穩定供電的核心器件，被廣泛應用于各種工業設備如電機驅動用變頻器、不間斷電源裝置（UPS）、風能和太陽能發電設備用功率調節器等。預計市場規模將于2016年達到約4,262億日元，之后保持每年6.0％的增長率。（數據來源：WSTS）。 近年來隨著全球能源需求增長，各個領域對工業設備都提出了更高的節能要求。而工廠等生產現場則非常注重機器設備的小型化、節省空間化及高可靠性。 本模塊是能夠滿足以上需求的最新產品，本次將首先出貨1,200V耐壓產品的樣品，今后計劃擴大產品陣容，逐次推出650V以及1,700V耐壓產品。 2．產品特點 （1）降低電耗，促進節能 通過對構成本模塊的IGBT元件和二極管元件進行厚度減薄和微細化改進，實現了最佳元件結構。因此與傳統產品（本公司第6代“V系列”）相比，變頻器的工作電耗降低，有助于設備的節能和降低電力成本。 （2）實現設備小型化 使用最新研發的絕緣基板增強了模塊的熱擴散性能。除上述效能（降低電耗）以外還能抑制發熱，從而較以往模塊實現了約36％的小型化※2。此外還將最高連續工作溫度從以往的150℃提高至175℃，所以能做到在維持設備原尺寸不變的同時，輸出電流實現了最大35％※3的增幅。這些都促進了設備小型化和總成本的降低。 ※2：1,200V 75A PIM產品的安裝面積比 ※3：本公司估算值 （3）提高設備可靠性 　 通過修改模塊的結構和使用材料，提高了高溫條件下的工作穩定性和持久性，有助于提高設備本身的可靠性。